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WCT-120PL產(chǎn)品分別采用標(biāo)準(zhǔn)QSSPC方法和光致發(fā)光法測(cè)量硅片的載流子壽命。 瞬態(tài)光電導(dǎo)衰減法(PCD)和熒光方法兩種互為補(bǔ)充。操作和使用起來(lái)和WCT120一樣方便。
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wct-120pl系統(tǒng)能力
r r主要應(yīng)用:
r r通過(guò)使用QSSPC或短暫的壽命測(cè)量和PL測(cè)量制造過(guò)程監(jiān)控和優(yōu)化步驟。
r r其它功能:
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??初始材料(硅片)質(zhì)量監(jiān)控
r r??(硅片)加工過(guò)程中的重金屬污染晶圓檢測(cè)
r r??評(píng)價(jià)表面鈍化和發(fā)射極的摻雜劑擴(kuò)散
r r??使用隱含的VOC測(cè)量來(lái)查找生產(chǎn)過(guò)程引入的漏電因素
r r??迭代計(jì)算qsspl和QSSPC數(shù)據(jù)得到襯底摻雜情況
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上圖是wct-120pl得到的一個(gè)校準(zhǔn)的熒光壽命曲線與一個(gè)校準(zhǔn)的QSSPC壽命曲線產(chǎn)生壽命數(shù)據(jù)的載流子密度對(duì)照曲線。
r r更多內(nèi)容請(qǐng)見(jiàn)附件文件
r rWCT-120PL晶片壽命測(cè)量工具采用的是與WCT-120一樣獨(dú)特的測(cè)量與分析技術(shù),同時(shí)增加了光致發(fā)光(PL)檢測(cè)器用來(lái)測(cè)量樣品的PL壽命及摻雜情況。該系統(tǒng)采用的是準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)(QSSPC)壽命測(cè)量方法及瞬態(tài)光電導(dǎo)衰退(PCD)壽命測(cè)量方法,同時(shí)還補(bǔ)充采用了校準(zhǔn)后的PL壽命測(cè)量方法。該工具還可以作為標(biāo)準(zhǔn)的WCT-120使用。
WCT-120PL 系統(tǒng)功能
主要應(yīng)用:采用QSSPC或者瞬態(tài)壽命測(cè)量及PL測(cè)量逐步監(jiān)控并優(yōu)化制造過(guò)程。
其它應(yīng)用:
l 監(jiān)控初步的材料質(zhì)量
l 檢測(cè)晶片加工過(guò)程中的重金屬污染
l 評(píng)價(jià)表面鈍化及發(fā)射器摻雜擴(kuò)散
l 利用隱含的Voc測(cè)量評(píng)價(jià)過(guò)程所誘發(fā)的分流
l 從QSSPL及QSSPC數(shù)據(jù)迭代式地計(jì)算所有基質(zhì)的摻雜情況
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