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 |
| 有效直徑 | 80um |
| 帶寬 | >1000MHz |
| 暗電流 | <50nA |
| 增益 | 10 |
| 探測(cè)直徑 | 80um |
| 響應(yīng) | >9.3 A/W |
| 帶寬范圍 | 200MHz |
| 溫度系數(shù) | 0.14/<0.20 V/°C |
| 波長范圍 | 1100nm-1700nm |
| 擊穿電壓 | 40V-70V |
| 峰值波長靈敏度 | 1550nm |
| 光敏直徑 | 80um |
| 電容 | 1.25pF |
| 封裝 | TO-18 |
| VOP范圍 | 40V-65V |
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
InGaAs雪崩光電二極管可以實(shí)現(xiàn)從1100nm到1700nm的高量子效率探測(cè)，并且在該波段內(nèi)可以保持高增益、高量子效率和高帶寬，光敏面尺寸可高達(dá)200μm。窗口和光敏面之間距離較短以便于連接光學(xué)系統(tǒng)。
產(chǎn)品特性
■ InGaAs的APD為80μm
■ TO-18的封裝
■ 光譜響應(yīng)1100nm-1700nm
■ 低噪聲和暗電流
■ 高增益
■ 高量子效率
■ 2.5GHz帶寬
應(yīng)用領(lǐng)域
■ 激光測(cè)距
■ 視頻掃描成像儀
■ 光通信
■ 自由空間通信
■ 分光光度計(jì)