Alpao自適應光學軟件和即時計算系統(tǒng) |
Holoeye空間光調(diào)制器 |
ALPAO高速變形鏡 |
波前分析儀Phasics |
自適應光學系統(tǒng) |
數(shù)字微反射鏡 DMD 數(shù)字微鏡器件 |
光學元件器件DOE |
光刻儀 |
3D打印系統(tǒng) |
飛秒激光器 |
皮秒激光器 |
自相關儀 |
超短脈沖測量儀Frog |
超快激光器件 |
高功率連續(xù)波OPO |
高功率光纖激光器 |
Qioptiq NANO 激光器 |
低噪聲窄線寬激光器 |
可調(diào)諧激光器 |
半導體激光器和放大器 |
SLD和ASE寬帶光源 |
雙波長輸出氦氖激光器 |
QIOPTIQ光纖耦合半導體激光器 |
Diode & DPSS_qioptiq |
激光驅(qū)動白光光源 |
等離子體寬帶光源 |
單色儀 |
光譜儀 |
光柵 |
輻射計 |
防嗮系數(shù)分析 |
Optogma固體激光器 |
Solarlight |
波長選擇器 |
激光準直儀 |
紅外激光觀察鏡 |
激光功率能量計 |
光學斬波器 |
光束質(zhì)量分析儀 |
位敏探測器 |
紅外相機 |
O/E轉換模塊探測器 TIA-525S |
太赫茲相機及源 |
太赫茲探測器 |
太赫茲元器件及晶體 |
太赫茲光譜儀 |
太赫茲功率計 |
Optiphase |
微光MOI |
普克爾盒/Pockels Cells |
電光調(diào)制器/Electro-Optics Modulators |
法拉第隔離器/Faraday Isolators |
SESAM半導體可飽和吸收鏡 |
探測器 |
EOT高速光電探測器 |
其他未分類 |
電化學ECV 擴散濃度 |
接觸電阻測量儀 |
四點探針測試儀 |
少子壽命測試儀 |
平行光管 |
光纖跳線及配件 |
無源器件 |
在不同的頻率應選擇不同的檢測器。在THz的低端,一般傾向于外差式的檢測器,而在THz的高端,直接檢測器的靈敏度似乎更勝一籌。有關的簡況和進一步發(fā)展的建議如下。
脈沖THz信號檢測的兩種方法:(a)光導天線;(b)電光取樣。
CW THz信號的檢測
1.超外差式檢測器(對于頻率稍低而譜線分辨率十分重要的場合)
a)室溫肖特基二極管混頻器,目前的一般水平是本振功率0.5 mW(單管)或3-5mW(多管)。輻射計的最小可檢測溫度是0.05K(500GHz)或0.5K(2500GHz),積分時間1秒,帶寬1GHz。 今后應著重于降低其噪聲和所需的本振功率。
b)超導體一絕緣體一超導體(SIS)結混頻器,以及以之為前端的接收機多用在100—700 GHz的頻率范圍,最近已推進到1200 GHz,并將在2007年用于空間飛行(FIRST,全稱Far Infra Red and Submillimeter space Telescope;現(xiàn)改稱European Space Agency’s Herschel)。
c)熱電子測熱電阻(HEB)混頻器,以Nb,NbN,NbTiN,Al,YBCO等材料制成尺寸為微米量級的微橋,THz信號的熱效應,使它們有靈敏的響應,響應時間也極快(快聲子或電子擴散的機制)。比SIS結混頻器的工作頻率更高。作為混頻器使用,電壓響應是在皮秒的量級,因此中頻可以達到幾千兆,甚至15千兆(取決于材料、尺寸、冷卻機制)。目前工作頻率已高達5THz,噪聲溫度約為量子極限的10倍左右,本振功率1—100nW的量級。
熱電子測熱輻射計(HEB):金屬在低溫下的熱容很小,聲子與電子系統(tǒng)是去耦的。外加的輻射只加熱電子,其溫升可以測出。
肖特基二極管混頻器室溫高靈敏超外差檢測技術
具體的器件
2.直接檢測器(對于頻率更高但并不需要極高的譜線分辨率的場合)
a)室溫的直接檢測器,種類很多,如:小面積GaAs肖特基二極管用作天線耦合的平方率檢測器;直接吸收熱量后引起電阻變化的普通鉍測熱電阻;有溫度計和讀出電路與輻射吸收器集成在一起的復合測熱電阻(鉍、碲);高蘭泡(充氣室內(nèi)吸收熱之后,體積有變化,使鏡子偏轉,用光放大器測出);聲測熱電阻(用光聲檢測器測出氣泡受熱后壓力的變化);微測熱電阻(用天線把功率耦合到小的吸熱區(qū)域);快速量熱計;等等。
目前,這類直接檢測器的標定是很大的問題,響應時間約為秒的量級;靈敏度不高(幾微伏)。我們今后的工作應該是:改進和用好已有的器件,使之符合我們的研究的需要
b)冷卻的直接檢測器,其中,目前已有商品的如:液氦冷卻的硅、鍺或InSb復合測熱電阻,響應時間微秒的量級,4K時噪聲等效功率(NEP)約為10-13W/√Hz的量級,冷到毫度時有很大的改進。不少商品的紅外檢測器對THz也能響應。在冷卻的直接檢測器方面,還有一些目前沒有商品的,如:超導轉變邊緣測熱電阻(超導薄膜條偏置在超導一正常轉變的邊緣);懸置的微加工的硅條鍍以鉍,以獲得理想的電阻一溫度特性,并由此制成陣列;
超導一絕緣一正常金屬(SIN)隧道結復合測熱電阻。這些檢測器的NEP約為10-17到10-18 W/√Hz的量級。超導熱電子測熱電阻(HEB)也可用于轉變邊緣檢測器,NEP約為10-20w/√Hz的量級。
我們今后的工作應該是:提出新型的THz波檢測結構或改進國際上雖已著手研究但尚有許多改進余地的器件。
鼓勵研究THz信號于物質(zhì)的相互作用,從中發(fā)現(xiàn)新的物理效應,據(jù)以研制THz信號檢測器,注意國際上研究工作的新動向(例如,用高磁場中冷卻至50 mk的單電子晶體管和量子點,探測入射的THz光子)。
研制以超導體-絕緣體-超導體(SIS)結混頻器、熱電子測熱電阻(HEB)混頻器為前級的THz波段接收機,實際使用于天文、環(huán)境監(jiān)測登方面。
THz的單光子檢測
單電子晶體管和量子點(@高磁場&50 mK)NEP=10-22 W/?Hz響應時間:毫秒
優(yōu)先鼓勵研究THz信號與物質(zhì)的相互作用,從中發(fā)現(xiàn)新的物理效應,據(jù)以研制新型THz檢測器,注意國際上研究工作的新動向。
我國南京大學和紫金山天文臺也已開展了THz檢測和接收方面的研究工作,并取得了一定的成果。